Otimização OmniScriptum SRL Otimização dos parâmetros eléctricos (CNTFET)

No setor da eletrónica, a procura por melhorias tecnológicas tem vindo a aumentar constantemente. Até agora, o silício tem sido o material mais popular para atender às demandas atuais. Contudo, o silício tem o seu próprio conjunto de limites; circuitos integrados baseados em silício e o dimensionamento do projeto MOSFET de silício enfrentam questões como efeito de tunelamento, impacto na espessura do óxido de porta e assim por diante, o que levou ao desenvolvimento de materiais alternativos. O crescente interesse acadêmico em nanotubos de carbono (CNTs) como um possível novo tipo de material eletrônico resultou em avanços substanciais na física dos CNT, incluindo propriedades balísticas e não balísticas de transporte de elétrons. O transporte de baixa polarização em um nanotubo pode ser quase balístico em distâncias de várias centenas de nanômetros. Modelos estendidos de nível de circuito que podem capturar fenômenos de transporte de elétrons balísticos e não balísticos, incluindo efeitos elásticos, de espalhamento de fônons, deformação e de tunelamento, foram criados para transistores CNT não balísticos. O efeito da espessura do óxido da porta no desempenho de CNTFETs não balísticos foi investigado em nossa seção de resultados.