OmniScriptum SRL Podstawy projektowania i rozwoju urządzeń fotowoltaicznych

W ksi¿¿ce omówiono rozwój i analiz¿ wydajno¿ci ogniw s¿onecznych wieloz¿¿czowych oraz z wieloma studniami kwantowymi, w tym prace dotycz¿ce technologii ogniw s¿onecznych opartych na grafenie. Wysokowydajne ogniwo s¿oneczne mo¿na potencjalnie uzyskä poprzez zastosowanie kilku z¿¿czy z azotku indu i galu (InGaN) lub studni kwantowych. Wraz ze wzrostem liczby okresów studni kwantowych do 20, parametry fotowoltaiczne, a zw¿aszcza sprawno¿¿ konwersji, znacznie wzrastaj¿. W warunkach nas¿onecznienia zgodnego z profilem AM0 sprawno¿¿ ogniwa wzrasta do 8,2% w przypadku struktury InGaN/GaN. Wyränie pokazuje to, ¿e InGaN z górn¿ i doln¿ warstw¿ z GaN zdecydowanie zapewnia szersz¿ i wy¿sz¿ sprawno¿¿ kwantow¿. Opracowano urz¿dzenie na bazie grafenu i GaAs, wykorzystuj¿ce widmo s¿oneczne AM1.5 przy nat¿¿eniu promieniowania s¿onecznego wynosz¿cym 1000 W/m². Ogniwo s¿oneczne z warstwami grafenu o grubo¿ci 400 nm przewy¿szy¿o istniej¿ce urz¿dzenia pod wzgl¿dem wspó¿czynnika wype¿nienia i sprawno¿ci konwersji mocy, co w konsekwencji dowodzi, ¿e urz¿dzenie to stanowi przysz¿o¿¿ w dziedzinie zielonej energii. Ksi¿¿ka wykazäa zatem, ¿e mo¿liwe jest modelowanie wänych zjawisk, takich jak tunelowanie kwantowe, z¿¿cze Schottky'ego czy grafen jako nowego materiäu w fotowoltaicznych ogniwach s¿onecznych.