OmniScriptum SRL Dépôt de nitrure de gallium de haute qualité amélioré par plasma pour dépôt en couche atomique

Este libro investiga los procesos y métodos de preparación de películas delgadas de nitruro de galio de alta calidad sobre distintos sustratos mediante la tecnología de deposición de capas atómicas mejorada por plasma. Mediante la introducción de una capa intermedia de nitruro de aluminio y el pretratamiento con plasma de nitrógeno en sustratos de silicio, se redujo significativamente el contenido de impurezas de oxígeno en las películas y se mejoró la calidad de la interfaz. En sustratos de zafiro, el nitruro de galio monocristalino de alta calidad creció epitaxialmente a bajas temperaturas mediante una combinación de horneado y pretratamiento con plasma de nitrógeno. Las películas policristalinas de nitruro de galio con interfaces nítidas se depositaron directamente sobre sustratos de cuarzo, y su aplicación en células solares de perovskita condujo a un aumento sustancial de la eficiencia de conversión. Esta investigación proporciona importantes fundamentos experimentales y apoyo metodológico para la preparación controlable de películas delgadas de nitruro de galio de alta calidad a baja temperatura y sus aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos.