OmniScriptum SRL Fundamentos del MOSFET HOI tricapa en el nanorégimen

Este libro se centra en el desarrollo de una estructura novedosa que puede ser corporativa para formar un dispositivo con dos capas de Si tensionado en la región del canal formando un sistema nano-MOS de heteroestructura de canal tensionado tricapa sobre aislante (HOI), que puede ser implementado para formar un NanoFET. La heteroestructura de canal basada en el NanoFET, que consiste en capas dobles de Si tensado enriquecidas en movilidad que intercalan el SiGe tensado, mejora significativamente la movilidad de los electrones en comparación con el dispositivo convencional de MOSFET de s-Si sobre canal de SiGe relajado, lo que conduce a una mejora del rendimiento del dispositivo sin implementar ningún escalado adicional.