OmniScriptum SRL CONCEPTION ET FABRICATION D'UN TRANSISTOR MÉTAL-MÉTALLOÏDE EN COUCHE MINCE Broché

En este trabajo, el metal y el metaloide se fabricaron sobre un sustrato de vidrio como muestras de película delgada, y su comportamiento eléctrico resultó similar al de un transistor de efecto de campo de película delgada. Se utilizaron contactos metálicos (Al/Cu) y un canal de metaloide (Se) como transistor de efecto de campo sobre el sustrato de vidrio mediante la deposición de los contactos metálicos de fuente, drenaje y puerta superior. El flujo de portadores desde la fuente al drenaje puede controlarse con una puerta metálica Schottky. El corriente del canal ha sido controlada por una capa de agotamiento de ancho variable a través del contacto metálico, modulando así el espesor del canal conductor. La fuente y el drenaje de la estructura FET se definieron mediante capas metálicas de Al o Cu depositadas secuencialmente sobre el Se en los patrones de contacto definidos por evaporación térmica empleando una unidad de recubrimiento al vacío. Se determinaron sus propiedades eléctricas. El dispositivo se utiliza para controlar la corriente entre el drenaje y la fuente a diferentes potenciales entre la puerta y la fuente ($V_{GS}$), induciendo la acumulación de carga libre en la unión metal-semiconductor. Las películas delgadas de seleniuro de aluminio se han recocido a 50°C y 100°C, confirmado posteriormente por difracción de rayos X y espectroscopia óptica.